场效应管和可控硅模块不同之处
2021-11-22
第1点是场效应管与可控硅模块的输入阻抗不一样
场效应管的直流等效输入阻抗十分高，其阻值能够到达10九次方欧姆，对MOSFET管而言最大能够到达10十五次方欧姆，基于如此的特性来说由场效应管构成的线路功耗都较小、它的稳定性和抗干扰能力都很强，所以目前很多集成芯片中都使用的是场效应管构成的集成线路，有的工作电压能够低到2V之下。
而对与可控硅模块构成的线路而言在輸入直流等效阻抗层面它较低、如此就影响了它的功耗十分大，抗干扰能力远不及场效应管，这也就表明了可控硅模块构成的线路它的稳定性也不及场效应管。
第2点是场效应管与可控硅模块的功能不一样
我们从两者的构成构造能够发现，对场效应管而言它能够放大信号，所以可以用在放大线路中用作放大器来用，也能够用作高速电子开关控制负载的通断，如开关电源中的场效应管就起到这一功能，并且使用场效应管还能够保持调速控制，如PWN波的调制輸出、令外在调光线路、调温线路等都能够用到。
从可控硅模块的运行过程来说它没法用作放大线路的信号，所以它是不能用作器放大器来使用的。通常可控硅模块用在整流电路和控制大负载线路中。当它用作电子开关使用时，其工作频率也没场效应管高，通常只有用在低速控制的领域。
以上就是传承电子介绍的场效应管和可控硅模块不同之处，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。
场效应管的直流等效输入阻抗十分高，其阻值能够到达10九次方欧姆，对MOSFET管而言最大能够到达10十五次方欧姆，基于如此的特性来说由场效应管构成的线路功耗都较小、它的稳定性和抗干扰能力都很强，所以目前很多集成芯片中都使用的是场效应管构成的集成线路，有的工作电压能够低到2V之下。
而对与可控硅模块构成的线路而言在輸入直流等效阻抗层面它较低、如此就影响了它的功耗十分大，抗干扰能力远不及场效应管，这也就表明了可控硅模块构成的线路它的稳定性也不及场效应管。
我们从两者的构成构造能够发现，对场效应管而言它能够放大信号，所以可以用在放大线路中用作放大器来用，也能够用作高速电子开关控制负载的通断，如开关电源中的场效应管就起到这一功能，并且使用场效应管还能够保持调速控制，如PWN波的调制輸出、令外在调光线路、调温线路等都能够用到。
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