IGBT模块是什么

igbt模块即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）构成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优势。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流比较大；MOSFET驱动功率较小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。igbt模块综合了以上2种元器件的优势，驱动功率小而饱和压降低。特别适合用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明线路、牵引传动等行业。
igbt模块构造

图上所显示为1个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管构造，N+区称作源区，附于其上的电极称作源极（即发射极E）。N基极称作漏区。元器件的控制区为栅区，附于其上的电极称作栅极（即门极G）。沟道在紧靠栅区边界生成。在C、E两电极间的P型区（包含P+和P-区）（沟道在该区域生成），称作亚沟道区（Subchannelregion）。而在漏区另一侧的P+区称作漏灌入区（Draininjector），它是igbt模块独有的功能区域，与漏区和亚沟道区一起生成PNP双极晶体管，起发射极的功能，向漏极灌入空穴，完成导电调制，以降低元器件的通态电压。附于漏灌入区上的电极称作漏极（即集电极C）。

igbt模块的开关功能是经过加正方向栅极电压生成沟道，给PNP（原来为NPN）晶体管供应基极电流，使igbt模块导通。相反，加反方向门极电压清除沟道，断开基极电流，使igbt模块断开。igbt模块的驱动方式和MOSFET基本一致，只需控制输入极N-沟道MOSFET，因此有着高输入阻抗特点。当MOSFET的沟道生成后，从P+基极灌入到N-层的空穴（少子），对N-层完成电导调制，减少N-层的电阻，使igbt模块在高电压时，也有着低的通态电压。

IGBT管的替代

因为IGBT管运行在大电流高电压情况，工作频率较高，发热量大，所以其故障率较高，又因为其价格较高，故替代IGBT管时，应遵循下列标准：首先，尽可能用原型号的替代，如此不但有利于固定安装，也较为简单次之，要是没有相同型号的管子，可以用参数相似的IGBT管来替代，通常是用额定电流比较大的管子替代额定电流较小的，用高耐压的替代低耐压的，倘若参数已经磨掉，可按照其额定功率来替代。

igbt模块应用领域

1、工业层面：电焊机，工业加热，电镀电源等。

2、电器层面：电磁炉，商用电磁炉，变频空调，变频冰箱等。

3、新能源层面：风力发电，电动汽车等。

以上就是传承电子对igbt模块工作原理的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。