igbt模块是三端元器件，芯片内部构造含有有栅极、集电极和发射极，等效线路如下图2-1所显示，在igbt模块的栅极G和发射极E间加+15V标准电压，则igbt模块导通，倘若集电极有上拉电阻，集电极和发射极电压就会变成0.2V，即集电极与发射极间因为门极添加正电压而成低阻状态促使igbt模块饱和导通;若在igbt模块的栅极G和发射极E间添加-15V则igbt模块反方向截止，添加负压而不是OV的目的是使igbt模块可快速而可靠的关断，对igbt模块实际选择有重要意义。
随着igbt模块在电气领域的普遍使用，并接的形式使商品具备更高的功率密度、均匀的基板热分布、灵活的布局及较高的性价比等优势。但，静态和动态均流问题的出现，限制了igbt模块通流能力的利用率，现今多选用降额选择。然而选用有源门板电压主动控制，就无需对igbt模块驱动设备进行降额处理和增加设备。

干扰静态均流的原因

1、并接igbt模块的直流母线侧连接点的电阻分量，所以必须尽可能对称；

2、igbt模块芯片的Vce（sat）和二极管芯片的VF的差别，因此尽可能选择同一批号的商品。

3、IGBT模块所在的温度差别，设计机械结构及风道时必须考虑；

4、igbt模块模块所在的磁场差别；

5、栅极电压Vge的差别。
干扰动态均流的原因

1、IGBT模块的开通门槛电压VGEth的差别，VGEth越高，igbt模块开通时刻越晚，不同模块会有差别；

2、每一个并接的IGBT模块的直流母线杂散电感L的差别；

3、门极电压Vge的差别；

4、门极回路中的杂散电感量的差别；

5、IGBT模块所在温度的差别；

6、IGBT模块所在的磁场的差别。
igbt模块芯片温度对均流的干扰

igbt模块芯片的温度对动态均流特性和静态均流特性干扰非常大：

1、因为igbt模块的Vcesat的正温度系数特性，使温度高的芯片的Vcesat更高，会分到较少的电流，所以生成了1个负反馈，使静态均流趋于收敛；

2、按照我们的经验，我们发觉，芯片温度变高后，动态均流的特性也会变好；例如在测试动态均流时，我们会选择双脉冲检测方法，但这时芯片是处在冷态的，当把设备跑起来后，动态均流会改善。

igbt模块芯片所在的磁场对均流的干扰

IGBT模块周边如果有强磁场，则模块的均流会遭到干扰。

1、倘若2个IGBT模块并接且并列安装，倘若交流排的输出电缆在放置时接近其中某1个IGBT模块而远离另外1个，则均流特性便会出问题；

2、以上现象的因素是某一大电流在导线上移动时形成磁场，对磁场内的其余导通的电流形成“挤出”或“吸引”的效应；

所以，在结构设计时，必须重视交流排出线的走线方式，以防出现磁场的干涉现象。

以上就是传承电子对igbt模块并接均流的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。