绝缘栅双极晶体管igbt模块是第3代功率器件，安全工作，它集功率晶体管GTR和功率场效应管MOSFET的特点于一体，具备易于驱动、峰值电流容量大、自关闭、开关频率高(10-40kHz)的特点，是现在发展极为快速的新一代的电力电子器件。普遍使用于小体积、高效率的变频电源、电机调速、UPS及逆变焊机之中。igbt模块的驱动和保护是其用到中的核心技术。在此按照长时间用到igbt模块的经验并参阅相关文献对igbt模块的门极驱动问题做些归纳，希望对广大igbt模块用到人员有相应的帮助。
igbt模块门极驱动需求

1、栅极驱动电压

因igbt模块栅极-发射极阻抗大，故可用到MOSFET驱动工艺来驱动，但igbt模块的输入电容较MOSFET大，所以igbt模块的驱动偏压应比MOSFET驱动所需要偏压强。图1是一个经典的案例。在+20℃环境下，测得60A，1200V之下的igbt模块开通电压阀值为5～6V，在实际用到时，为得到最小的导通压降，应选择Ugc≥(1.5～3)Uge(th)，当Uge增加时，导通时集射电压Uce将减少，开通耗损也随之减少，但在负载短路环节中Uge增加，集电极电流Ic也将也随之增加，可使igbt模块能承担短路损坏的脉宽变窄，所以Ugc的选择不可过大，这足够使igbt模块完全饱和，并且也局限了短路电流以及所带来的应力(在具备短路运行环节的设施中，如在电机中用到igbt模块时，+Uge在满足要求的环境下尽可能选择最小值，以提升其耐短路能力)。

2、对电源的需求

对于全桥或半桥电路而言，上下管的驱动电源要相互隔离，因为igbt模块是电压控制器件，所需要的驱动功率很小，主要是对其内部几百至几千皮法的输入电容的充放电，需求能供应较大的瞬时电流，要使igbt模块快速关闭，应尽可能减少电源的内阻，并且为防止igbt模块关闭时产生的du/dt误使igbt模块导通，应加上一个-5V的关栅电压，以确保其完全可靠的关闭(过大的反方向电压会导致igbt模块栅射反方向击穿，通常为-2～-10V间)。

3、对驱动波形的要求

从减少耗损角度讲，门极驱动电压脉冲的上升沿和下降沿要尽可能陡峭，前沿很陡的门极电压使igbt模块快速开通，到达饱和的时间很短，因此可以降低开通耗损，同样，在igbt模块断开时，陡峭的下降沿可以缩减断开时间，进而减少了断开耗损，发热量降低。但在实际用中，过快的开通和断开在大电感负载情况下反而是不利的。因为在这种情况下，igbt模块过快的开通与断开将在线路中造成频率很高、幅值很大、脉宽很窄的尖峰电压Ldi/dt，而且这类尖峰难以被吸收掉。此电压有可能会导致igbt模块或其余元件被过压击穿而毁坏。因此在选择驱动波形的上升和下降速度时，应按照线路中元件的耐压能力及du/dt吸收线路性能综合考虑。

以上就是传承电子对igbt功率模块门极驱动需求的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。