可控硅模块投切电容器的原理（三）

2022-01-10

可控硅模块投切电容器（TSC）主电路布线方式按照可控硅模块阀和电容器的连接可划分为三相控制的三角形接法、星形接法和其他组合接线方法。当中三角形与星形的组合接线方法既综合了前两种接线方法的优点，也可提高补偿设备的运行质量，所以较为常用.

按照电容器电压无法突变的特性，可控硅模块投切电容器（TSC）系统投切当电网电压和电容器残压差别过大的时，则非常容易造成冲击电流。当冲击电流与正常的稳定电流之比低于1.7倍时，可以认为冲击电流对可控硅模块和电容器的使用无影响。投切终止后，电容器上有电网峰值电压，可控硅模块在电网电压和电容器直流电压的双重影响下，存有过零电压，过零点触发可控硅模块是理想状态，不能造成冲击电流。

可控硅模块投切电容器（TSC）的检测系统用作检测电网与负载系统的相应变量，包含相位采样区域、电压与电流有效值测算区域、待补无功量与无功功率计算区域等。

现阶段较为先进的工艺则是借助微机同步相位控制技术和自适应可控硅模块触发工艺完成检测。当检测到电容器两边电压与电网电压大小同样，极值相同时，瞬时投放电容器，电流过零时可控硅模块会自主断开，不用对电容器提前充电，也不用另装限流电抗器及专用的放电电阻，则可随时实现无投切电容器。

以上就是传承电子介绍的可控硅模块投切电容器的原理，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

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