为何要对可控硅的保护措施
2022-01-12
可控硅元器件的常见弱点是承担过电流和国电压的能力很差，即使短时间的过流和过电压，也将会造成可控硅的毁坏，因此一定要对它采用恰当的保护措施。
1.过电流保护
可控硅出现过电流的常见因素是过载、短路和误触发。过电流保护有下列几个：
快速容断器快速容断器中的溶丝是银质的，只需选择恰当，在相同的过电流倍数下，它可以在可控硅毁坏前先溶断，进而保护了可控硅。
过电流继电器当电流超出过电流继电器的整定值时，过电流继电器便会运作，断开保护线路。但因为继电器运作到断开线路需要一定时间，因此只能够用于可控硅的过载保护。
过载截止保护依靠过电流的信号将可控硅的触发信号后移，或使可控硅得导通角减少，或干脆停止触发保护可控硅。
2.过电压保护
过电压将会造成可控硅的击穿，其常见因素是因为线路中电感元件的通断、熔断器熔断或可控硅在导通与截止间的转换。对过压保护可采用两种措施
阻容保护阻容保护是电阻和电容串接后，接在可控硅线路中的1种过电压保护形式，其实质是依靠电容器两端电压无法突变和电容器的电场储能和电阻使能耗元器件的性能，把过电压的能量转变成电场能量储存在电场中，并依靠电阻把这部分能量消耗掉。
第二种是硒堆保护。
中频电源的过电流和过电压的保护
中频电源设备的主线路采用可控硅半导体器件，这类元器件承担过电压，过电流的能力很差，而中频电源的运作状况较为复杂，负载变动剧烈，出现短路，开路，过电压，过电流的几率较高，一定要采用妥善保护措施，以保障设备安全运作。
可控硅中频电源的过流过压保护，1种是在恰当的位置装上保护器件如在工频电源进线侧装上RC吸收线路，用来抑制由外线路涌入中频电源的雷击过电压和操作过电压，在可控硅上串连快速熔短器用来保护过电流对可控硅的毁坏，另一种是检测中频电源的输出电压和输入电流，当电压或电流超出允许值时依靠整流触发控制系统使整流桥运行于有源逆变模式，或封锁整流输出脉冲使整流桥输出电压为零。
以上就是传承电子介绍的为何要对可控硅的保护措施，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。
可控硅出现过电流的常见因素是过载、短路和误触发。过电流保护有下列几个：
快速容断器快速容断器中的溶丝是银质的，只需选择恰当，在相同的过电流倍数下，它可以在可控硅毁坏前先溶断，进而保护了可控硅。
过电流继电器当电流超出过电流继电器的整定值时，过电流继电器便会运作，断开保护线路。但因为继电器运作到断开线路需要一定时间，因此只能够用于可控硅的过载保护。
过载截止保护依靠过电流的信号将可控硅的触发信号后移，或使可控硅得导通角减少，或干脆停止触发保护可控硅。
过电压将会造成可控硅的击穿，其常见因素是因为线路中电感元件的通断、熔断器熔断或可控硅在导通与截止间的转换。对过压保护可采用两种措施
阻容保护阻容保护是电阻和电容串接后，接在可控硅线路中的1种过电压保护形式，其实质是依靠电容器两端电压无法突变和电容器的电场储能和电阻使能耗元器件的性能，把过电压的能量转变成电场能量储存在电场中，并依靠电阻把这部分能量消耗掉。
第二种是硒堆保护。
中频电源的过电流和过电压的保护
中频电源设备的主线路采用可控硅半导体器件，这类元器件承担过电压，过电流的能力很差，而中频电源的运作状况较为复杂，负载变动剧烈，出现短路，开路，过电压，过电流的几率较高，一定要采用妥善保护措施，以保障设备安全运作。
可控硅中频电源的过流过压保护，1种是在恰当的位置装上保护器件如在工频电源进线侧装上RC吸收线路，用来抑制由外线路涌入中频电源的雷击过电压和操作过电压，在可控硅上串连快速熔短器用来保护过电流对可控硅的毁坏，另一种是检测中频电源的输出电压和输入电流，当电压或电流超出允许值时依靠整流触发控制系统使整流桥运行于有源逆变模式，或封锁整流输出脉冲使整流桥输出电压为零。
以上就是传承电子介绍的为何要对可控硅的保护措施，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。
上一篇：浅谈igbt模块驱动
关注微信公众号，了解更多资讯
QQ群：2867777
版权所有 Copyright(C)2009-2020 传承电子科技(江苏)有限公司 苏ICP备13063025号-1