1、对驱动功率的要求

因为igbt模块的开关过程须要损耗相应的电源功率，最小峰值电流可由下式算出：

IGP=△Uge/（RG+Rg）；

式中△Uge=+Uge+|Uge|；RG是igbt模块内部电阻；Rg是栅极电阻。

驱动电源的平均功率为：

PAV=Cge△Uge2f,

式中．f为开关频率；Cge为栅极电容。

2、栅极电阻

为更改控制脉冲的前后沿陡度和避免 震荡，减少igbt模块集电极的电压尖峰，应在igbt模块栅极串上适合的电阻Rg。当Rg增大时，igbt模块导通时间延长，耗损发热加剧；Rg减少时，di/dt增高，有可能造成误导通，使igbt模块毁坏。应按照igbt模块的电流容量和电压额定值和开关频率来选择Rg的数值。通常在几欧至几十欧间(在具体用中，还应按照实际情况给予适度调整)。此外为避免 门极开路或门极毁坏时主线路加电毁坏igbt模块，建议在栅射间添加一电阻Rge，阻值为10kΩ左右。

3、栅极走线要求

合理的栅极走线对避免 潜在震荡，减少噪声干扰，保护igbt模块正常的运行有很大帮助。

a．走线时须将驱动器的输出级和lGBT间的寄生电感降至最低(把驱动回路包围的范围减到最小)；

b．合理放置栅极驱动板或屏蔽驱动线路，避免 功率线路和控制线路间的耦合；

c．应用辅助发射极端子连接驱动线路；

d．驱动线路输出不可和igbt模块栅极直接连接时，应使用双绞线连接(2转／cm)；

e．栅极保护，箝位元器件要尽可能靠近栅射极。

4、隔离问题

因为功率igbt模块在电力电器设备中多用于高电压场所，因此驱动线路要与整个控制线路在电位上完全隔离，主要的途径和优缺点。

[借助光电耦合器进行隔离]

优势：体型小、结构简易、使用便捷、输出脉宽不受限制，主要用于PWM控制器。

缺陷：

a、共模干扰抑制不理想。

b、响应速度慢，在高频状态下使用受限制。

c、要互相隔离的辅助电源。

[借助脉冲变压器进行隔离]

优势：响应速度快，共模干扰抑制效果好。

缺陷：

a、信号传送的最大脉冲宽度受磁芯饱和特性的限制，通常不超过50％，最小脉宽受磁化电流限制。

b、受漏感及集肤干扰，制作工艺复杂。

以上就是传承电子对浅谈igbt模块驱动的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。