可控硅模块(晶闸管）参数说明

2022-01-14

1.参数表中所列出的数据信息，ITSM、I2t、dv/dt、di/dt指的是元器件能够满足的最小值,Qr、VTM、VTO、rT指元器件可满足(不超过)的最大值。

2.通态平均电流额定值ITAV(IFAV)ITAV(IFAV)指在双面冷却情况下，确保散热器温度55℃时，准许元器件经过的最大正弦半波电流平均值。ITAV(IFAV)相应元器件额定有效值IRMS=1.57ITAV。实际运行中，若无法确保散热器温度小于55℃或散热器与元器件接触热阻远高于规定值，则元器件应降额运行。

3.可控硅模块通态电流上升率di/dt参数表中所给的为元器件通态电流上升率的临界重复值。其相应不重复测试值为重复值的2倍以上，在运行过程中，必需确保元器件导通期无论何时的电流上升率都无法超出其重复值。

4.可控硅模块运行频率

可控硅模块可运行的最大频率由其运行时的电流脉冲宽度tp，关断时间tq和从关断后承担正压开始至其再一次开通的时间tV决定。fmax=1/(tq+tp+tV)。按照工作频率选择元器件时必需确保元器件从正方向电流过零至开始承担正压的时间间隔tH>tq，并留出一定的裕量。随着工作频率的上升，元器件正方向耗损Epf和反向恢复耗损Epr随之上升，元器件通态电流须降额运行。

以上就是传承电子介绍的可控硅模块(可控硅）参数说明，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

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