1)导通

igbt模块硅片的构造与功率MOSFET的构造非常相近，主要差别是JGBT增添了P+基片和1个N+缓冲层(NPT-非穿通-igbt模块工艺没增添这一部分)，当中1个MOSFET驱动2个双极元器件（有两个极性的元器件）。

基片的使用在管体的P、和N+区间建立了1个J，结。当正栅偏压使栅极下边反演P基区时，1个N沟道便生成，并且出现1个电子流，并完全按照功率MOSFET的方法产生一股电流。

倘若这一电子流产生的电压在0.7V范围内，则J1将处在正方向偏压，一些空穴注入N-区内，并调整N-与N+间的电阻率，这些方法降低了功率导通的总耗损，并开启了第2个电荷流。最后的结果是在半导体层次内临时出现两种不同的电流拓扑：1个电子流（MOSFET电流）；1个空穴电流（双极）。

当UCE超过开启电压UCE(th），MOSFET内生成沟道，为晶体管供应基极电流，igbt模块导通。

2)导通压降

电导调制效应使电阻RN减少，通态压降小。所谓通态压降，指的是igbt模块进到导通情况的管压降UDS，这一电压随UCS上升而下降。

3)断开

当在栅极添加1个负偏压或栅压低于门限值时，沟道被禁止，没有空穴流入N-区内。在任何情况下，倘若MOSFET的电流在开关阶段快速下降，集电极电流则渐渐下降，这也是阂为换向开始后，在N层内还存有少数的载流子（少于）。

这类残余电流值（尾流）的下降，完全取决断开时电荷的密度，而密度又与几种因素相关，如掺杂质的数量和拓扑，层次厚度和温度。少子的衰减使集电极电流具有明显性尾流波型。集电极电流将造成功耗上升、交叉导通问题，尤其是在使用续流二极管的设施上，问题更为显著。

鉴于尾流与少子的重组相关，尾流的电流值应与芯片的Tc、IC：和uCE息息相关，而且与空穴移动性有密不可分的关联。所以，按照所到达的温度，下降这类作用在终端产品设计上的电流的不理想效应是有效的。当栅极和发射极间添加反压或不添加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，igbt模块断开。

4)闩锁

ICBT在集电极与发射极间有—个寄生PNPN晶闸管。在特殊情况下，这类寄生元器件会导通。这种情况会使集电极与发射极间的电流量提升，对等效MOSFET的控制能力下降，通常还会造成元器件击穿问题。晶闸管导通情况被称作igbt模块闩锁。总的来看，出现这类缺陷的因素各有不同，但与元器件的情况有密切关系。

以上就是传承电子对igbt功率模块基本参数的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。