可控硅两边并接阻容网络的功能

2022-03-03

我们知道，可控硅模块有个重要性能参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表示模块在额定结温和门极开路情形下，使其从断态转为通态的最低电压上升率。若电压上升率过大，超出了它的电压上升率的值，则会在无门极信号的情形下开启。即便这时加于可控硅模块的正方向电压小于其阳极峰值电压，也可以产生这一情形。因为可控硅模块能够看成是由3个PN结构成。

在可控硅模块线路中，在其两边并接RC串连网络，该网络常称作RC阻容吸收线路。

在可控硅模块处在阻断情况下，因各层相距非常近，其J2结结面等同于一个电容C0。当可控硅模块阳极电压变动时，便会出现充电电流流到电容C0，并借助J3结，这一电流起了门极触发电流功效。假如可控硅模块在断开时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，便有可以导致门极在没有触发信号的情形下，可控硅模块误导通现象，即常说的硬开启，那是不允许的。因此，对加在可控硅模块上的阳极电压上升率应该有相应的控制。

为了控制线路电压上升率过大，确保可控硅模块安全运作，常在可控硅模块两边并接RC阻容吸收网络，借助电容两端电压无法突变的性能来控制电压上升率。因为线路经常产生电感的(变压器漏感或负载电感)，因此与电容C串联电阻R能起阻尼作用，它能够避免R、L、C线路在过渡阶段中，因振荡在电容器两边产生的过电压毁坏可控硅模块。同时，避免电容器借助可控硅模块放电电流过大，导致过电流而毁坏可控硅模块。

因为可控硅模块过流到压能力很差，如果不采用可靠的保护措施是无法正常运行的。RC阻容吸收网络便是经常使用的保护方式之一。

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