igbt模块读写速度怎么提高？

2022-03-08

igbt模块断开耗损大、拖尾严重制约了其在高频运用的发展，而导致igbt模块延迟开和关的原因主要有两层面。文中将各自对应这两层面，提出对应的解决方案，解决元器件拖尾问题，提高igbt模块开关速度。

igbt模块断开耗损大、拖尾是严重制约高频运用的拦路虎。这问题由两层面组成：

1）igbt模块的主导元器件—GTR的基区储存电荷问题。

2）栅寄生电阻和栅驱动电荷，组成了RC延迟网络，导致igbt模块延迟开和关。

这儿，首要探讨原因一的解决方案。解决线路见图（1）。

图1：提高igbt模块开关速度技巧（一）

igbt模块的GTR是借助基区N型半导体，在开通时，通过施加基极电流，使之转为P型，将原先的PNP型阻挡区变成P-P-P通路。为确保可靠导通，GTR是过度开通的完全饱和模式。

所谓基区储存效应导致的拖尾，是因为GTR过度饱和，基区N过度转变成P型。在断开时，因为P型半导体要复合成本征甚至N型，这一环节导致了元器件的拖尾。

图2：提高igbt模块开关速度技巧（二）

该线路选用准饱和驱动形式，让igbt模块运行在准饱和模式下。igbt模块预进到饱和，驱动电压就会被DC拉低，使之退出饱和状态，反之igbt模块驱动电压上升，VCE下降，接近饱和。对于标准igbt模块，这线路可以确保，igbt模块的导通压降基本维持在3.5V水平，即igbt模块运行在准线性区。这样igbt模块的GTR的基极就不会被过驱动，在断开时，几乎没有复合环节。这样元器件的拖尾问题就几乎解决了！目前，唯一存在的问题是igbt模块的通态压降略高。

这类形式已经在逻辑IC里盛行。目前的超高速逻辑线路都选用这类构造，包含电脑中的CPU！我们已享用此工作原理，却并不知道。

以上就是传承电子对igbt模块读写速度怎么提高的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

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