igbt模块的擎住效应

2022-03-24

由图1(b)线路能够看见，igbt模块内部的寄生三极管T2与输出三极管T1等效于1个晶闸管模块。内部体区电阻Rbr上的电压降为1个正方向偏压加在寄生三极管T2的基极和发射极间。

当igbt模块处在断开情况和处在正常稳定通态时（ic不超过允许值时），Rbr上的压降都较小，并不能产生T2的基极电流，T2不起作用。

但倘若ic瞬时过大，Rbr上压降过大，则将会使T2导通，而一经T2导通，即使撤除门极电压UGE，igbt模块仍然会像晶闸管模块一样处在通态，使门极G失去控制作用，这种现象称为擎住效应。

在igbt模块的设计制造时已尽可能地降低体区电阻Rbr，使igbt模块的集电极电流在最大允许值ICM时，Rbr上的压降仍低于T2管的起始导电所需要的正偏压。

但在实际运行中ic一经过大，则将会出现擎住效应。

倘若外线路无法限制ic的增加，则将会毁坏元器件。

除过大的ic将会产生擎住效应外，当igbt模块处在断开情况时，倘若集电极电源电压过高，使T1管漏电流过大，也将会在Rbr上产生过高的压降，使T2导通而出现擎住效应。

将会出现擎住效应的第三个情况是：在断开过程中，MOSFET的断开十分迅速，MOSFET关断后图1(b)中三极管T2的J2结反偏电压UBA增加，MOSFET断开得越快，集电极电流ic减小得越快，则UCA=Es-R

以上就是传承电子对igbt模块的擎住效应的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。

主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

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