IGBT功率模块
2022-04-19
IGBT功率模块是以绝缘栅双极型晶体管（IGBT）组成的功率模块。因为IGBT模块为MOSFET构造，IGBT的栅极经过一层氧化膜与发射极实现电隔离，具备出色的元器件性能。普遍使用于伺服电机、变频器、变频家电等领域。
工艺特点
IGBT功率模块是电压型控制，输入阻抗大，驱动功率小，控制线路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优势。实际上是个复合功率器件，它集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优势于一体化。又因先进的生产工艺使它通态饱和电压低，开关频率高（可达20khz），这两点十分显著的特性，近期西门子公司又发布低饱和压降（2.2v）的npt-IGBT性能更佳，相继东芝、富士、ir,摩托罗拉亦已在开发研制新品种。
应用
IGBT是先进的第三代功率模块，工作频率1-20khz,主要应用在变频器的主线路逆变器及所有逆变线路，即dc/ac变换中。例电动汽车、伺服控制器、UPS、开关电源、斩波电源、无轨电车等。问世迄今有十年多历史，几乎已替代所有其他功率器件，例SCR、GTO、GTR、MOSFET、双极型达林顿管等如今功率可高达1MW的低频应用中，单一元件电压可达4.0KV（pt构造）一6.5KV（npt构造），电流可达1.5KA,是较为理想的功率模块。
以上就是传承电子对IGBT功率模块的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。
IGBT功率模块是电压型控制，输入阻抗大，驱动功率小，控制线路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优势。实际上是个复合功率器件，它集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优势于一体化。又因先进的生产工艺使它通态饱和电压低，开关频率高（可达20khz），这两点十分显著的特性，近期西门子公司又发布低饱和压降（2.2v）的npt-IGBT性能更佳，相继东芝、富士、ir,摩托罗拉亦已在开发研制新品种。
应用
IGBT是先进的第三代功率模块，工作频率1-20khz,主要应用在变频器的主线路逆变器及所有逆变线路，即dc/ac变换中。例电动汽车、伺服控制器、UPS、开关电源、斩波电源、无轨电车等。问世迄今有十年多历史，几乎已替代所有其他功率器件，例SCR、GTO、GTR、MOSFET、双极型达林顿管等如今功率可高达1MW的低频应用中，单一元件电压可达4.0KV（pt构造）一6.5KV（npt构造），电流可达1.5KA,是较为理想的功率模块。
以上就是传承电子对IGBT功率模块的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。
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