可控硅模块实现两电平变频器的工艺

2022-04-20

普通级联高压变频器主电路拓扑和功率单元内部线路分别如下图1、图2所显示，根据IGCT元器件的两电平变频器主线路拓扑如下图3所显示。

由图3得知，两电平高压（6kv）变频器串连后的单一功率管要承担的额定电压为6000×√2÷≈32800（v），最大运作电压达到2800×1．15×1．08≈3500（v）（考虑过电压15％和变压器阻抗8％），这对单管吸收电路以及控制提出了很高的必须。由图1、图2得知，级联产品每一个功率管必须承担的额定电压为6000÷√3×√2÷5×1．15×1．08≈1200（V）。所以，两电平拓扑高压变频器的达到难度要比级联式变频器高得多。该两电平高压（6kV）变频器具备以下特性：

（1）级联式变频器必须150只功率管，而两电平变频器只必须36只功率管，所以，两电平变频器的故障出现几率可以大大降低，可靠性获得很大提升；

（2）级联式变频器的变压器引出线达45根，而两电平变频器引出线仅9根，使故障出现概率显著减少；

（3）级联式变频器不允许将电机放在离变频器过远的位置，以避免机端反激等因素导致变频器异常保护甚至是变频器和电机毁坏，而两电平变频器具备Lc滤波环节，输出电缆中没有大的du／dt，没有机端反激现象，因此没有如此的限制；

（4）在能量流层面，两电平变频器只需将整流线路稍稍改造就可以达到4象限运作，这也是目前的级联式变频器工艺所做不到的；

（5）两电平变频器中选用高压金属膜电容器而不选用电解电容器，使整机寿命可达10年以上，这也是级联式变频器很难达到的。

以上就是传承电子对可控硅模块实现两电平变频器的工艺的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

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