可控硅模块的运行原理

2022-04-26

可控硅模块（SCR）靠门极正信号触发后，撤下信号亦能保持通态。欲使之断开，需要断开电源，使正方向电流小于保持电流IH，或施加逆向电压迫使断开。这就需要增加换向线路，不但使设备的体积重量增加，还会降低效率，造成波型失真和噪声。可断开可控硅克服了上述缺点，它既留存了普通可控硅耐压高、电流大等优势，以具备自断开能力，使用便捷，是理想的高压、大电流开关元器件。

GTO的容量及使用期限均超出巨型晶体管（GTR），只不过工作频率比GTR低。现阶段，GTO已做到3000A、4500V的容量。大功率可断开可控硅已普遍用作斩波调速、变频调速、逆变电源等行业，展示出强大的生命力。

可断开可控硅也属于PNPN四层三端元器件，其构造及等效线路和普通可控硅同样，所以图1仅绘出GTO经典产品的外型及符号。大功率GTO大多数做成模块形式。

即使GTO与SCR的触发导通原理同样，但两者的断开原理及断开形式截然不同。

这是因为普通可控硅在接导后即处在深度饱和，而GTO在接导后只能到达临界饱和，因此 GTO门极上加负向触发信号就能断开。GTO的1个重要参数便是断开增益，βoff，它等同于阳极最大可断开电流IATM与门极最大负向电流IGM之比，有计算公式

βoff=IATM/IGM

βoff通常为几倍至几十倍。βoff值愈大，说明门极电流对阳极电流的控制力愈强。很明显，βoff与昌盛的hFE参数颇有相同之处。

以上就是传承电子对可控硅模块的运行原理的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

上一篇：设计三电平拓扑的IGBT驱动需解决的问题

下一篇：IGBT模块直流稳压大功率电源电路设计

关注微信公众号，了解更多资讯