可控硅模块的主要参数介绍

2022-05-01

额定正方向平均电流：在规定条件下，阳极和阴极间能够连续利用的50HZ正旋半波电流的平均值。

维持电流：在规定条件下保持可控硅导通的最少正方向电流。

漏源饱和电流：在栅源短路，漏源电压足够大时的漏源电流。

正方向跨导：在共源线路中，栅源输入电压每增加1V所产生的漏源輸出电流的变化量。

最大栅源电压：MOS管由于其栅极有很高的绝缘电阻，所以栅极断开时，极易使管子毁坏，储存时应留意将3个管脚短接。

例：N沟道结型场效应管:3DJ6D。

饱和漏源电流：《0.35ma夹断电压：<4V(-4V)栅源绝缘电阻：10(8)ohm正方向跨导：>1000輸入电容：<5pf电容反馈：<2pf低频噪声：<5db高频功率增益：>10db最高震荡频率：>30mhz最高漏源电压：20V最高栅源电压：20V最高耗散功率：100mw最高漏源电流：15ma。

正方向（反方向）阻断电压：定位为转折电压减掉100V后的电压值，用时正方向电压不允许高于此值。

控制极触发电压电流：在規定环境下使可控硅模块导通所必需的最低控制极直流电压电流值，通常情况，控制极电压不的高于10V电流不超过1A

可控硅模块的导通时长：从控制极添加信号到阳极电流上升到最终值的90%所需用的时长。他包含延迟时间，为阳极电流上升到10%的时长，上升时间，为从10%-90%所需用的时长。

关断时长：从切断正方向电流到控制极恢复控制能力所需用的时长。

例：3CT061(小电流单向管)电流：1A触发电压：《2V

可控硅模块的触发电流：0.01-30ma导通时长<80us

可控硅模块的关断时长：<2.5us瞬时电流：9.5A

3CTS5(小电流双向管)电流：5A触发电压：《3V

触发电流：50ma瞬时电流：42A

以上就是传承电子对可控硅模块的主要参数的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

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