双向可控硅模块应用领域
2021-03-29
为正常情况下用双向可控硅模块，需定量了解其基本参数，对双向可控硅模块进行恰当选取并采取有效措施以实现各参数的标准。
耐压级别的使用：一般是把VDRM（断态重复峰值电压）和VRRM（反向重复峰值电压）中较小的值标作该元器件的额定电压。使用时，额定电压应是正常情况下工作峰值电压的2~3倍，用作允许的操作过压裕量。
电流的判定：因为双向可控硅模块一般是用在交流电路中，所以无需平均值而用有效值来表示它的额定电流值。因为可控硅模块的负载能力比通常电磁元器件小，因此通常家电中选取可控硅模块的电流值为实际工作电流值的2~3倍。另外，可控硅模块承载断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM时的峰值电流应小于元器件规定的IDRM和IRRM。
通态（峰值）电压VTM的使用：它是可控硅模块通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为降低可控硅模块的热损耗，应尽量使用VTM小的可控硅模块。
维持电流：IH是维持可控硅模块维持通态所必要的最小主电流，它与结温有关，结温越高，则IH越小。
电压上升率的抵制：dv/dt指的是在关闭模式下电压的上升斜率，它是预防误触发的1个主要参数。此值超限将可能造成 可控硅模块出現误导通的状况。因为可控硅模块的生产工艺确定了A2与G中间会存有寄生电容，如图1所示。我们知道dv/dt的变化在电容的两边会出現等效电流，这一电流便会成为Ig，也就是出現了触发电流，造成 误触发。
转换电压上升率dVCOM/dt。驱动高电抗性的负载时，负载电压和电流的波形间一般是出现实质性的相位移动。当负载电流过零时双向可控硅模块出现转换，因为相位差电压并不是零。此时双向可控硅模块须马上阻断该电压。产生的转换电压上升率（dVCOM/dt）若超出允许值，会迫使双向可控硅模块恢复导通模式，因为载流子没有充足的时间自结上撤出，如图2所示。
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以上就是传承电子设计师"双向可控硅模块应用领域"介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。
耐压级别的使用：一般是把VDRM（断态重复峰值电压）和VRRM（反向重复峰值电压）中较小的值标作该元器件的额定电压。使用时，额定电压应是正常情况下工作峰值电压的2~3倍，用作允许的操作过压裕量。
电流的判定：因为双向可控硅模块一般是用在交流电路中，所以无需平均值而用有效值来表示它的额定电流值。因为可控硅模块的负载能力比通常电磁元器件小，因此通常家电中选取可控硅模块的电流值为实际工作电流值的2~3倍。另外，可控硅模块承载断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM时的峰值电流应小于元器件规定的IDRM和IRRM。
通态（峰值）电压VTM的使用：它是可控硅模块通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为降低可控硅模块的热损耗，应尽量使用VTM小的可控硅模块。
维持电流：IH是维持可控硅模块维持通态所必要的最小主电流，它与结温有关，结温越高，则IH越小。
电压上升率的抵制：dv/dt指的是在关闭模式下电压的上升斜率，它是预防误触发的1个主要参数。此值超限将可能造成 可控硅模块出現误导通的状况。因为可控硅模块的生产工艺确定了A2与G中间会存有寄生电容，如图1所示。我们知道dv/dt的变化在电容的两边会出現等效电流，这一电流便会成为Ig，也就是出現了触发电流，造成 误触发。
图1双向可控硅模块等效示意图
转换电压上升率dVCOM/dt。驱动高电抗性的负载时，负载电压和电流的波形间一般是出现实质性的相位移动。当负载电流过零时双向可控硅模块出现转换，因为相位差电压并不是零。此时双向可控硅模块须马上阻断该电压。产生的转换电压上升率（dVCOM/dt）若超出允许值，会迫使双向可控硅模块恢复导通模式，因为载流子没有充足的时间自结上撤出，如图2所示。
图2转换时的电流及电压变化
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以上就是传承电子设计师"双向可控硅模块应用领域"介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。
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