可控硅模块dVCOM/dt的承受能力取决于哪些因素？

2021-03-29

高dVCOM/dt承受能力受2个因素影响：

dICOM/dt—转换时负载电流量下降率。dICOM/dt高，则dVCOM/dt承受能力降低。

结面温度Tj越高，dVCOM/dt承受能力越降低。倘若双向可控硅的dVCOM/dt的规定值有可能被超出，为防止出现假触发，可在T1和T2间安装RC缓冲线路，借此限定电压上升率。通常使用47~100Ω的能承担浪涌电流的碳膜电阻，0.01μF~0.47μF的电容，可控硅关断环节中主电流量过零反向后快速由反向峰值恢复至零电流量，此环节可在元件两边形成达正常工作峰值电压5-6倍的尖峰电压。通常推荐在尽可能接近元件本身的地方连上阻容吸收电路。

断开模式下电压变化率dvD/dt。若截止的双向可控硅上（或门极灵敏的闸流管）功能很高的电压变化率，即便不超过VDRM，电容性内部电流量能形成足够大的门极电流量，并触发器件导通。门极灵敏度随温度而上升。倘若出现这种的问题，T1和T2间（或阳极和阴极间）需要加RC缓冲线路，以限定dvD/dt。

电流量上升率的抑制：电流量上升率的影响具体表现在以下2个层面：

①dIT/dt（导通时的电流量上升率）—当双向可控硅或闸流管在门极电流量触发下导通，门极临近处即刻导通，之后快速扩展至整个有效面积。这迟后的时间有个极限值，即负载电流量上升率的许可值。过高的dIT/dt将会造成局部烧毁，并使T1-T2短路故障。倘若环节中限定dIT/dt到一较低的值，双向可控硅可能能够幸存。所以，倘若双向可控硅的VDRM在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出或导通时的dIT/dt有可能被超出，可在负载上串连1个几μH的不饱和（空心）电感。

②dICOM/dt(转换电流量变化率)—造成高dICOM/dt值的因素是:高负载电流量、高电网频率（假设正弦波电流量）或非正弦波负载电流量,两者造成的转换电流量变化率超出最大的规定值，使双向可控硅甚至无法支撑50Hz波形由零上升时不大的dV/dt，添加一几mH的电感和负载串连，能够限定dICOM/dt。

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