可控硅模块的门极参数介绍

2021-03-29

①、门极触发电流：为了使可控硅模块稳定触发，触发电流Igt选用25度时max值的α倍，α为门极触发电流—结温特性系数，取特性曲线中最低操作温度时的系数。若对元器件工作环境温度无特别需求，一般α取大于1.5倍就行。

②、门极压降：可以选用Vgt25度时max值的β倍。β为门极触发电压—结温特性系数，查数据信息手册可知，取特性曲线中最低操作温度时的系数。若对元器件工作环境温度无特别需求，一般β取1~1.2倍就行。

触发电阻Rg=（Vcc-Vgt）/Igt

③、触发脉冲宽度：为了更好地导通闸流管（或双向可控硅模块），除了要门极电流≧IGT，还需使负载电流达到≧IL（擎住电流），并按也许遇上的最低温度考量。

为此，可用25度下稳定触发可控硅模块的脉冲宽度Tgw的2倍之上。

在电子噪音充斥的环境中，若影响电压超出触发电压VGT，并有足够的门极电流，便会产生假触发，造成双向可控硅模块转换。第一条防线是减轻临近空间的杂波。

门极接线越短越好，并保障门极驱动电路的公用返回线直接连接到TI管脚（对闸流管是阴极）。若门极接线是硬线，可采用螺旋双线，或干脆用屏蔽线，这些必要的措施都是为了更好地减轻杂波的吸收。为增加对电子噪音的抵抗力，可在门极和T1之间串入1kΩ或更小的电阻，以此减轻门极的灵敏度。

假如已采用高频旁路电容，建议在该电容和门极间加入电阻，以减轻通过门极的电容电流的峰值，减轻双向可控硅模块门极区域为过电流烧毁的可能。

结温Tj的控制：想要长期性稳定运行，应确保Rthj-a非常低，保持Tj不超过80%Tjmax,其值相对于很有可能的最高环境温度。

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