IGBT生产厂家介绍如何避免瞬时逆变器导通
2021-04-01
除开系统故障造成的短路,瞬时逆变器导通一样会产生在正常运行情况下。
此时,igbt模块导通需求igbt模块驱动至饱和区域,在该区域中导通耗损最低。这往往代表着导通状态时的栅极-发射极工作电压超过12V。igbt模块断开需求igbt模块驱动至运行截止区域,便于在高端igbt模块导通时成功阻隔两边的反向高电压。
原则上讲,能够通过使igbt模块栅极-发射极工作电压下降至0V实现该目标。然而,必须考虑到逆变器臂上低端晶体管导通时的副作用。导通时开关节点工作电压的快速变动造成容性感应电流流过低端igbt模块寄生密勒栅极-集电极电容(图3中的CGC)。
该电流量流过低端栅极驱动器(图3中的ZDRIVER)断开阻抗,在低端igbt模块栅极发射极端打造出1个瞬变工作电压增加,如下图所示。
倘若该工作电压上升至igbt模块阈值电压VTH之上,则会造成低端igbt模块的短暂导通,进而形成瞬态逆变器臂导通——由于2个igbt模块都短暂导通。这通常不会损坏igbt模块,但却能增加功耗,影响可靠性。
图3.密勒感应逆变器导通
通常,有2种方式可以处理逆变器igbt模块的感应导通问题——选用双极性电源和/或额外的米勒箝位。在栅极驱动器隔离端接收双极性电源的能力为感应电压瞬变给出了额外的裕量。比如,–7.5V负电源轨表明需要超过8.5V的感应电压瞬变方能感应杂散导通。这足以防止杂散导通。
另一种方式是在进行断开转换后的一定时间内减少栅极驱动器线路的断开阻抗。这称作米勒箝位线路。容性电流量现在流经较低阻抗的线路,紧接着减少工作电压瞬变的幅度。
针对导通与断开选用非对称栅极电阻,便可为开关速率控制给出额外的灵活性。所有这些栅极驱动器功能都对整个系统的可靠性与效率有正面影响。
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IGBT功率模块厂家:过流或短路处理方法
以上就是传承电子IGBT生产厂家介绍如何避免瞬时逆变器导通介绍,传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商,为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工,同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。
此时,igbt模块导通需求igbt模块驱动至饱和区域,在该区域中导通耗损最低。这往往代表着导通状态时的栅极-发射极工作电压超过12V。igbt模块断开需求igbt模块驱动至运行截止区域,便于在高端igbt模块导通时成功阻隔两边的反向高电压。
原则上讲,能够通过使igbt模块栅极-发射极工作电压下降至0V实现该目标。然而,必须考虑到逆变器臂上低端晶体管导通时的副作用。导通时开关节点工作电压的快速变动造成容性感应电流流过低端igbt模块寄生密勒栅极-集电极电容(图3中的CGC)。
倘若该工作电压上升至igbt模块阈值电压VTH之上,则会造成低端igbt模块的短暂导通,进而形成瞬态逆变器臂导通——由于2个igbt模块都短暂导通。这通常不会损坏igbt模块,但却能增加功耗,影响可靠性。
通常,有2种方式可以处理逆变器igbt模块的感应导通问题——选用双极性电源和/或额外的米勒箝位。在栅极驱动器隔离端接收双极性电源的能力为感应电压瞬变给出了额外的裕量。比如,–7.5V负电源轨表明需要超过8.5V的感应电压瞬变方能感应杂散导通。这足以防止杂散导通。
另一种方式是在进行断开转换后的一定时间内减少栅极驱动器线路的断开阻抗。这称作米勒箝位线路。容性电流量现在流经较低阻抗的线路,紧接着减少工作电压瞬变的幅度。
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