高压igbt模块变频器介绍
2021-04-06
电力电子技术、微电子技术与控制理论的相结合,有效地推动了交流变频调速技术的发展。
近几年来,具备驱动电路和保护作用的智能igbt模块的应用领域使得变频器构造更为紧凑且可靠。与其它电力电子元件对比,igbt模块具备可靠性高、驱动简单、保护容易、无需缓冲线路和开关频率高等优势。
鉴于此,开发高电压、大电流量、频率高的高压igbt模块并将其应用领域到变频调速器中以取得输出电压等级更高的设备变成人们关注的重点。中压变频器的开发与电力电子元件如高压igbt模块、GTO、IGCT等元件研制水准和使用水准息息相关,伴随着高电压、大电流量igbt模块的推出,给中压变频器注入了新的活力。
电力电子元件的发展经历了晶闸管模块(SCR)、可关断晶闸管模块(GTO)、大功率晶体管(GTR)、绝缘栅晶体管(igbt模块)等阶段,近年来,常压变频器多数选用igbt模块构成逆变电路,中压变频器中因为线路构造的差异,交—直—交变频器中逆变电路多数由高压igbt模块、GTO、IGCT等构成,单元串联多电平变频器和中—低—中变频器型多选用低压igbt模块构成。
4MV全系列中压变频器运用案例
中压变频器的评判标准涉及使用范围、设计思路、如电压源或电流源型、转矩脉动、速率调控、谐波与噪音,效率、功率因数及电磁兼容性等。MV全系列变频器借助用于提升的空间矢量和脉宽调制方式可得到较高的动态特性,转矩脉动2%,并具备很好的调控特性;借助对各类环境下的谐波电流实现快速傅里叶分析,可给予典型谐波电流频谱;MV由于用于高压igbt模块无缓冲器线路,功率因数高于096,由于用于有源前端技术,功率因数可按照需要调整(滞后或超前),并且提升 了电磁兼容性,达到了抗干扰的需求。
图3MVAFE结构框图
以上就是传承电子高压igbt模块变频器介绍的介绍,传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商,为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工,同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。
近几年来,具备驱动电路和保护作用的智能igbt模块的应用领域使得变频器构造更为紧凑且可靠。与其它电力电子元件对比,igbt模块具备可靠性高、驱动简单、保护容易、无需缓冲线路和开关频率高等优势。
鉴于此,开发高电压、大电流量、频率高的高压igbt模块并将其应用领域到变频调速器中以取得输出电压等级更高的设备变成人们关注的重点。中压变频器的开发与电力电子元件如高压igbt模块、GTO、IGCT等元件研制水准和使用水准息息相关,伴随着高电压、大电流量igbt模块的推出,给中压变频器注入了新的活力。
电力电子元件的发展经历了晶闸管模块(SCR)、可关断晶闸管模块(GTO)、大功率晶体管(GTR)、绝缘栅晶体管(igbt模块)等阶段,近年来,常压变频器多数选用igbt模块构成逆变电路,中压变频器中因为线路构造的差异,交—直—交变频器中逆变电路多数由高压igbt模块、GTO、IGCT等构成,单元串联多电平变频器和中—低—中变频器型多选用低压igbt模块构成。
4MV全系列中压变频器运用案例
中压变频器的评判标准涉及使用范围、设计思路、如电压源或电流源型、转矩脉动、速率调控、谐波与噪音,效率、功率因数及电磁兼容性等。MV全系列变频器借助用于提升的空间矢量和脉宽调制方式可得到较高的动态特性,转矩脉动2%,并具备很好的调控特性;借助对各类环境下的谐波电流实现快速傅里叶分析,可给予典型谐波电流频谱;MV由于用于高压igbt模块无缓冲器线路,功率因数高于096,由于用于有源前端技术,功率因数可按照需要调整(滞后或超前),并且提升 了电磁兼容性,达到了抗干扰的需求。
以上就是传承电子高压igbt模块变频器介绍的介绍,传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商,为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工,同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。
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