晶闸管模块阳极A与阴极K之间的电压与晶闸管模块阳极电流量之间关系称为晶闸管模块伏安特点，如图2所所示。正向特点位于第一象限，反向特点位于第三象限。图2晶闸管模块伏安特点参数示意图
（1）反向特点

当门极G开路，阳极加反向电压时（见图3），J2结正偏，但J1、J2结反偏。这时只有流过很小的反向饱和电流，当电压进一步提升到J1结的雪崩击穿电压后，并且J3结也击穿，电流量快速提升，如图2的特点曲线OR段开始弯曲，弯曲处的电压URO称为“反向转折电压”。之后，晶闸管模块会造成永久性反向击穿。

（2）正向特性

当门极G开路，阳极A添加正向工作电压时（见图4），J1、J3结正偏，但J2结反偏，这与一般PN结的反向特性类似，也只能够流过很小电流量，这叫正向阻断模式，当工作电压增加，如图2的特性曲线OA段逐渐弯曲，弯曲处的工作电压UBO称作“正向转折工作电压”。

因为工作电压上升到J2结的雪崩击穿工作电压后，J2结造成雪崩倍增作用，在结区造成很多的电子和空穴，电子进到N1区，空穴进到P2区。进到N1区的电子与由P1区利用J1结注入N1区的空穴复合。同样的，进到P2区的空穴与由N2区利用J3结注入P2区的电子复合，雪崩击穿后，进到N1区的电子与进到P2区的空穴各自无法全部复合掉。

如此，在N1区便有电子积累，在P2区便有空穴积累，最后使P2区的电位上升，N1区的电位降低，J2结变成正偏，只需要电流量稍有增加，工作电压便快速降低，产生所谓负阻特性，见图2中的虚线AB段。此时J1、J2、J33个结均处在正偏，晶闸管模块便进到正向导电模式——通态，此时，它的特性与一般的PN结正向特性类似，如图2的BC段。

（3）触发导通

在门极G上添加正向工作电压时（如图5所示），因J3正偏，P2区的空穴进到N2区，N2区的电子进到P2区，造成触发电流量IGT。在晶闸管模块的内部正反馈作用（如图2）的根本上，添加IGT的作用，使晶闸管模块提前导通，引起图2中的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。
图5阳极和门极均加正向工作电压

以上就是传承电子晶闸管模块的伏安特点的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。