igbt模块的动态特性

2021-04-19

igbt模块在导通环节中，大多数时长作为MOSFET来运作的，只是在漏源工作电压Uds下降环节后期，PNP晶体管由放大区至饱和，又增添了一段延迟时间。td(on)为导通延迟时间，tri为电流量上升时间。具体用中常供应的漏极电流量导通时间ton就是td(on)tri之和。漏源工作电压的下降时间由tfe1和tfe2构成。

igbt模块的触发和断开标准给其栅极和基极间添加正向工作电压和负向工作电压，栅极工作电压可由不同的驱动电路形成。当选用这类驱动电路时，务必依托于下列的参数来实现：元件断开偏置的标准、栅极电荷的标准、耐固性标准和电源的情况。由于igbt模块栅极-发射极阻抗大，故可用MOSFET驱动技术实现触发，不过由于igbt模块的输入电容较MOSFET为大，故igbt模块的断开偏压应当比许多MOSFET驱动电路供应的偏压更高。

igbt模块在断开环节中，漏极电流量的波形变为两段。由于MOSFET关断后，PNP晶体管的存储电荷很难快速消除，导致漏极电流量较长的尾部时间，td(off)为断开延迟时间，trv为工作电压Uds(f)的上升时间。具体用中常常供应的漏极电流量的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段构成，而漏极电流量的断开时间

t(off)=td(off)+trv十t(f)

式中，td(off)与trv之和又称之为存储时间。

igbt模块的开关速度低于MOSFET，但很明显高过GTR。igbt模块在断开时不用负栅压来缩减断开时长，但断开时长随栅极和发射极并联电阻的增加而增加。igbt模块的开启工作电压约3～4V，和MOSFET相当。igbt模块导通时的饱和压降比MOSFET低而和GTR相近，饱和压降随栅极工作电压的增加而降低。

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