igbt模块辨别测试

2021-04-22

igbt模块绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)构成的复合全控型工作电压驱动式功率半导体元器件，兼具MOSFET的高输入电阻和GTR的低导通压降两层面的优势。GTR饱和压下降，载流密度大，但驱动电流过大;MOSFET驱动功率较小，控制开关速度快，但导通压降大，载流密度小。igbt模块结合了上述2种元件的优势，驱动功率小而饱和压下降。特别适合用于直流电压为600V及上述的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明线路、牵引传动等方面。

igbt模块的辨别测试：

辨别极性：

先将数字万用表拨在RTImes;1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其余两极电阻值为无穷大，对换表笔后该极与其余两极的电阻值仍为无穷大，则辨别此极为栅极(G)其余两极再用万用表测量，若测出电阻值为无穷大，对换表笔后测量电阻值较小。在测量电阻值较小的一次中，则辨别红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射极(E)。

辨别好坏：

将数字万用表拨在RTImes;10KΩ挡，用黑表笔接igbt模块的集电极(C)，红表笔接igbt模块的发射极(E)，这时候数字万用表的指针在零位。用手指同时碰触一下栅极(G)和集电极(C)，这时候igbt模块被触发导通，数字万用表的指针摆向电阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。随后再用手指同时碰触一下栅极(G)和发射极(E)，这时候igbt模块被阻断，数字万用表的指针回零。这时候就能辨别igbt模块是好的。

测试注意事项：

任何指针式数字万用表皆可用来测试igbt模块。考虑辨别igbt模块好坏时，一定要将万用　表拨在RTImes;10KΩ挡，因RTImes;1KΩ挡之下各档数字万用表内部电池电压太低，测试好坏时不可以使igbt模块导通，而无法辨别igbt模块的好坏。此方法同样可以用来测试功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。

以上就是传承电子igbt模块辨别测试的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

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