igbt模块过电流毁坏解决对策

2021-05-12

为了避免igbt模块出现擎住效应而毁坏，线路设计中应确保igbt模块的最大的工作电流应不超过igbt模块的IDM值，此外注意可适度增加驱动电阻RG的方式延长断开时间，减小igbt模块的di/dt。驱动电压的大小也会影响igbt模块的擎住效应，驱动电压低，承担过电流时间长，igbt模块必需加负偏压，igbt模块生产厂家通常建议加-5V左右的反偏电压。在有负偏压情况下，驱动正电压在10—15V间，漏极电流可在5～10μs内超出额定电流的4～10倍，因此驱动igbt模块必需设计负偏压。

因为UPS负载冲击特性各有不同，且供电的装备很有可能出现电源故障短路，因此在UPS设计中实行限流措施进行igbt模块的电流限制也是必需的，可考虑采用igbt模块厂家提供的驱动厚膜线路。如一些厂家的EXB841、EXB840，M57959AL，57962CL，它们对igbt模块的集电极电压进行检验，倘若igbt模块出现过电流，内部线路进行关闭驱动。

这种方式有时候依然无法保护igbt模块，传承电子建议的短路保护方式是：先检验通态压降Vce，倘若Vce超出设定值，保护线路立刻将驱动电压降为8V，因此igbt模块由饱和状态转到放大区，通态电阻增加，短路线路减削，经过4us连续检验通态压降Vce，倘若正常，将驱动电压恢复原状，倘若未恢复，将驱动关闭，使集电极电流减为零。

如此实现短路电流软断开，可以避免快速断开导致的过大di/dt毁坏igbt模块，如图6，当出现过电流，10us内将igbt模块的启动电压减为9V，配合M57160AL驱动厚膜线路可以快速软断开保护igbt模块。

图5：igbt模块等效电路图

图6F系列igbt模块的RCT线路

以上就是传承电子对igbt模块过电流毁坏解决对策的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

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