图2是一个脉冲周期，当正脉冲上升沿(t0～t3)来临时(这儿只考量正脉冲)，电容C等同于短路，利用二极管D和电容C能够给igbt模块供应很大的瞬间电流，把驱动脉冲的上升时间减短。
图2中正脉冲便是igbt模块的驱动信号，这一负脉冲的上升沿也是由另一个一条线驱动脉冲感应来的，因此所要探讨的便是另一条线驱动脉冲的下降沿尖峰，这4路輸出脉冲是相同的，因此只需探讨一条线。但为了能直观、完整，这儿就把它当作是本路负脉冲的上升沿来探讨(下边提及的负脉冲都是这类情形)。

自然稳压管这一条线路也是有电流流过，但与加速电容C这一条线路对比就比较小。

若不添加电阻R，这一电容会通过几个脉冲周期充满电荷，而丧失加速功效，因此规定电容C的电荷在每一个周期上升沿来临时，电容上无储存电荷。所以在电容上并接一小阻值的电阻，给电容供应放电回路。

在脉冲平顶期(t3～t4)时，igbt模块的输入门极电容早已充满，门极维持高电平，这时igbt模块的G-E间等同于断开，变压器次边维持高电平。

当脉冲下降沿(t4～t9)来临时，igbt模块的输入电容在这段时间反方向放电，需缓关，若放电速度太快会造成很大的断开尖峰，因此需阻断利用加速电容加速放电，故在加速电容前串连1个快恢复二极管，使其只利用稳压管放电。

稳压管能够有效地吸收其尖峰，并能够控制其下降沿的陡度。

改善线路部分所加元件能够看作1个可变电阻：这一电阻在脉冲上升沿开始到igbt模块弥勒平台时(t0～t2)，电阻值是比较小的，主要是充电电流从加速电容这一条线路流过，故而持续加速对igbt模块门极电容的充电。

igbt模块的弥勒平台这段时间内，由于电容上电压升高，其充电电流速度在逐步减少，到弥勒平台结束时，其充电电流速度为零，充电电流达到最大。这个能够从门极电阻上电压波形取得确认。

在上升沿结束(t3)时，充电电流减少到近乎为零，故而并不会发生过冲尖峰。在加速电容前加1个反方向二极管阻隔其迅速放电通道。图3是初始的驱动波型；图4为额外添加线路驱动波型；图5为满负载时驱动波型。

以上就是传承电子对igbt模块强驱动线路的设计的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。