如何测试igbt模块热阻抗

2021-06-07

如何测试热阻抗Zth（j-r）前边谈及能够选择“芯片表层贴热电偶”或“红外热成像仪”的方式检测结温，再根据NTC的温度和igbt模块的耗损，理论上是能够测算出热阻Rth（j-r）。但因为热电偶响应时间和热成像仪的刷新率都相应比较慢，没办法检测动态热阻抗Zth（j-r），因此igbt模块厂家通常选择Vce结温测量方法来检测igbt模块的热阻和热阻抗曲线。

Vce结温测量方法如图6所显示。

igbt模块在小电流（10-100mA）状况下，集-射极压降Vce和结温Tj成线性比例关联，这一关联能够借助不同温度下检测Vce值的方式校正出。如此在igbt模块热阻检测时就可以借助小电流下Vce的检测值推算出实际的结温。这样的结温测量方法的益处是检测精确，此外也可以检测动态结温变动。

图6：Vce结温测量方法

要留意的是，考虑到芯片间的热耦合，建议检测时器件的发热状况尽可能贴近真实运转工作状况，如普遍的三相半桥拓扑（6单元），能够将6个igbt模块开关串连在一块通直流电流加热。或是更精确的办法是在串连的6个igbt模块开关和6个二极管上通交流电流，电流正半周流过igbt模块，负半周流过二极管，如此一来就可以把所有器件间的热耦合考虑进来。

以上就是传承电子对如何测试igbt模块热阻抗的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

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