逆导可控硅（RCT）特性解析

2021-06-24

逆导可控硅RCT(Reverse-ConducTIngThyrisTIr)亦称反向导通可控硅。其特征是在可控硅的阳极与阴极中间反方向并联1只二极管，使阳极与阴极的发射结均呈短路模式。因为这个特殊线路构造，使之具备耐高压、耐高温、断开时间短、通态电压低等优异特性。比如，逆导可控硅的断开时间仅几微秒，工作频率达几十千赫，好于快速可控硅(FSCR)。该元器件适用开关电源、UPS不间断电源中，1只RCT就可以取代可控硅和续流二极管各1只，不但使用便捷，并且能简化线路设计。

逆导可控硅的符号、等效电路如下图1(a)、(b)所显示。其伏安特性见图2。由图可见，逆导可控硅的伏安特性具备不对称性，正方向特性与普通可控硅SCR同样，而反方向特性与硅整流管的正方向特性同样(仅座标位子不一样)。

逆导可控硅的典型产品有美国无线电公司(RCA)生产的S3900MF，其外型见图1(c)。它选用TO-220封装，3个引出端分别是门极G、阳极A、阴极K。S3900MF的基本参数如下所示：

断态重复峰值电压VDRM：>750V

通态平均电流IT(AV)：5A

最大通态电压VT：3V(IT=30A)

最大反向导通电压VTR：<0.8V

最大门极触发电压VGT:4V

最大门极触发电流IGT:40mA

断开时间toff:2.4μs

通态电压临界值上升率du/dt:120V/μs

通态浪涌电流ITSM:80A

以上就是传承电子对逆导可控硅（RCT）特性解析的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

上一篇：igbt模块串联电压不平衡分析

下一篇：逆导晶闸管的检测

关注微信公众号，了解更多资讯