igbt开关时间定义
2021-07-06
导通时长能够分成2个部分:导通延迟时间td(on)与上升时间tr,在此时长内igbt模块主要运行在主动区域。
当栅极和发射极之向被添加1个阶跃式的正方向驱动电压后,便对CGE開始充电,VGE開始提升,提升过程的时间常数由CGE和栅极驱动网路的电阻所决定,一经VGE到达开启电压VGE(th)后,集电极电流IC则開始提升。
从VGE提升至VGE(th)開始,到IC提升至负载电流IL的10%截止,这段时间被定义为导通延迟时间td(on)。
之后,集电极电流IC持续上涨,到IC提升至负载电流IL的90%的时候,这段时间称作上升时间tr。
导通延迟时间td(on)与上升时间tr之和被为导通时长ton。在整个导通时长内,能够看得出电流逐步提升而集电极—发射极间的压降依然非常可观,所以主要的导通耗损发生于这一时间内。
2、igbt模块导通
igbt模块导通时,主要作业在饱和区域。
igbt模块开通后,集电极电流Ic依然会持续上彝,并形成1个开通电流峰值,这种峰值是由阻感性负载及续流二极管共同形成的,峰值电流过大将会耗损igbt模块。IC在到达峰值后会逐渐下跌至负载电流IC的水平,此外,VCE也下跌至饱和压降水平,igbt模块进入较为稳定的导通阶段。
在这个阶段中的主要参数是由负载决定的通态电流IL和1个较低的饱和压降VCEsat,能够得出,作业在饱和区的igbt模块的耗损并不是特别大。
以上就是传承电子对igbt开关时间定义的介绍。传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商,为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工,同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。
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