igbt开关时间定义

2021-07-06

1、导通时长ton

导通时长能够分成2个部分：导通延迟时间td（on）与上升时间tr，在此时长内igbt模块主要运行在主动区域。

当栅极和发射极之向被添加1个阶跃式的正方向驱动电压后，便对CGE開始充电，VGE開始提升，提升过程的时间常数由CGE和栅极驱动网路的电阻所决定，一经VGE到达开启电压VGE（th）后，集电极电流IC则開始提升。

从VGE提升至VGE（th）開始，到IC提升至负载电流IL的10%截止，这段时间被定义为导通延迟时间td（on）。

之后，集电极电流IC持续上涨，到IC提升至负载电流IL的90%的时候，这段时间称作上升时间tr。

导通延迟时间td（on）与上升时间tr之和被为导通时长ton。在整个导通时长内，能够看得出电流逐步提升而集电极—发射极间的压降依然非常可观，所以主要的导通耗损发生于这一时间内。

2、igbt模块导通

igbt模块导通时，主要作业在饱和区域。

igbt模块开通后，集电极电流Ic依然会持续上彝，并形成1个开通电流峰值，这种峰值是由阻感性负载及续流二极管共同形成的，峰值电流过大将会耗损igbt模块。IC在到达峰值后会逐渐下跌至负载电流IC的水平，此外，VCE也下跌至饱和压降水平，igbt模块进入较为稳定的导通阶段。

在这个阶段中的主要参数是由负载决定的通态电流IL和1个较低的饱和压降VCEsat，能够得出，作业在饱和区的igbt模块的耗损并不是特别大。

以上就是传承电子对igbt开关时间定义的介绍。传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

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