igbt功率模块断开时间toff的定义

2021-07-07

1、断开时间toff

同开通时间ton相同，断开时间toff也能够分成2段：断开延迟时间td（off），和下降时间tf。

当栅极和发射极间的正方向电压被突然撤消并同时被添加1个负压后，VCE便開始下跌。下跌过程的时间常数依然由輸入电容CGE和栅极驱动电路的电阻所决定。此外，VCE開始上升。但只要是VCE低于VCC，则续流二极管处在截止情况且无法接续电流。

因此，igbt模块的集电极电流IC在这段时间并没有明显的下跌。因此，从栅极—发射极电压VCE降落到其开通值的90%開始，直至集电极电流下跌至负载电流的90%为止；这段时间被定义为断开延迟时间td（off）。

一经上升的igbt模块的集电极—发射极电压超出电压VCC时，续流二极管便处在正方向偏置的情况下，负载电流便能够换流至续流二极管，集电极电流也因此下跌口从集电极电流IC由负载电流k的90%下跌至10%间的时间称作下降时间tf。

从图1中能够得出，在IC下跌的此外，VCE会形成1个大大超出电压Vcc的峰值，这主要是由负载电感导致的，其幅度与igbt模块的断开速度呈线性关系。峰值电籮过高将会导致igbt模块的毁坏。断开延迟时间，与下降时间tf之和称作断开时间toff。

2、拖尾时间、拖尾电流

对比于MOSFET，igbt模块选用1种新的形式减低了通态耗损，但这种设计同时导致了拖尾电流It，拖尾电流持续衰减至断开情况漏电流的时间称作拖尾时间tt，拖尾电流严重的干扰了断开耗损，因为在这段时间里，VCE早已上升至电压VCC之上。拖尾电流的形成也提醒我们，即便在栅极给出了断开信号，igbt模块也无法及时的完全断开，也是需要注意的，在设计驱动时要确保2个桥臂的驱动波型有充裕的死区。

以上就是传承电子对igbt功率模块断开时间toff的定义的介绍。传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

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