可控硅的伏安特性是指什么
2021-07-08
可控硅的伏安特性曲线指的是可控硅阳极电流量IA、阳极与阴极间电压UAK及控制极电流量Ic间的相互关系。
1）正方向特性
当可控硅（可控硅）的阳极和阴极间添加正方向电压，而控制极不添加电压时，可控硅的Jl、J3结处在正方向偏置，J2结处在反方向偏置，可控硅只有通过较小的正方向漏电流，即特性曲线的OA段，称作正方向阻断情况。当阳极电压持续提升到图中的UBO值时，J2结被反方向击穿，阳极电流量骤然升高，特性曲线忽然由A点跳至B点，可控硅进到导通情况，这是1种不正常情况。常规运行时，不允许正方向电压到达转折电压，避免可控硅丧失可控功能。
可控硅导通之后电流量极大而管压降只有1V左右，这时的伏安特性与二极管的正方向特性类似，如下图中的BC段，称作正向导通特性。导通后，要是减少阳极电流量，则当厶低于IH时，可控硅忽然由导通情况转变为阻断，特性曲线由B点跳回到A点。IH称作维持电流量。
当控制极添加电流量Ic时，使可控硅由阻断转为导通所需的阳极电压值将低于UBO，而Ic且愈大，所需要的阳极电压越小。
2）反方向特性
当可控硅的阳板电压为负时的伏安特性称作反方向特性。可控硅加反方向电压时，Jl、J3结处在反方向偏置，J2结处在正方向偏置；可控硅只流过ISL9N315AD3S较小的反方向漏电流。这段特性与二极管的反方向特性类似，可控硅处在反方向阻断情况。当反方向电压超出图中的UBR值，管子被击穿，反方向电流量骤然提升，使可控硅反向导通，称作不可逆击穿。UBR称作反方向击穿电压。
可控硅常规运行时，另加电压不允许超出反方向击穿电压，不然管子将被毁坏。与此同时，另加电压也不允许超出正方向转折电压，否则无论控制极是不是加控制电流量，可控硅均将导通。在可控整流线路中，应当由控制极电压来决定可控硅什么时候导通，称作1个可控开关。
以上就是传承电子对可控硅的伏安特性的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。
当可控硅（可控硅）的阳极和阴极间添加正方向电压，而控制极不添加电压时，可控硅的Jl、J3结处在正方向偏置，J2结处在反方向偏置，可控硅只有通过较小的正方向漏电流，即特性曲线的OA段，称作正方向阻断情况。当阳极电压持续提升到图中的UBO值时，J2结被反方向击穿，阳极电流量骤然升高，特性曲线忽然由A点跳至B点，可控硅进到导通情况，这是1种不正常情况。常规运行时，不允许正方向电压到达转折电压，避免可控硅丧失可控功能。
可控硅导通之后电流量极大而管压降只有1V左右，这时的伏安特性与二极管的正方向特性类似，如下图中的BC段，称作正向导通特性。导通后，要是减少阳极电流量，则当厶低于IH时，可控硅忽然由导通情况转变为阻断，特性曲线由B点跳回到A点。IH称作维持电流量。
当控制极添加电流量Ic时，使可控硅由阻断转为导通所需的阳极电压值将低于UBO，而Ic且愈大，所需要的阳极电压越小。
2）反方向特性
当可控硅的阳板电压为负时的伏安特性称作反方向特性。可控硅加反方向电压时，Jl、J3结处在反方向偏置，J2结处在正方向偏置；可控硅只流过ISL9N315AD3S较小的反方向漏电流。这段特性与二极管的反方向特性类似，可控硅处在反方向阻断情况。当反方向电压超出图中的UBR值，管子被击穿，反方向电流量骤然提升，使可控硅反向导通，称作不可逆击穿。UBR称作反方向击穿电压。
可控硅常规运行时，另加电压不允许超出反方向击穿电压，不然管子将被毁坏。与此同时，另加电压也不允许超出正方向转折电压，否则无论控制极是不是加控制电流量，可控硅均将导通。在可控整流线路中，应当由控制极电压来决定可控硅什么时候导通，称作1个可控开关。
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