晶闸管（可控硅）的过压保护

2021-02-21

一、晶闸管的过压保护

晶闸管模块在运作过程中，会遭到由交流供电电网进到的操作过电压和雷击过电压的侵扰。另外，模块自身运作中和非正常运作中也有过电压出现。

1.过电压保护的第一个办法是并接R-C阻容吸收电路，和用压敏电阻或硒堆等非线性元器件完成控制。见图3和图4。

图1：阻容三角控制过压图2：压敏电阻或硒堆控制过压

2.过电压保护的第二个办法是选用电子电路完成保护。常用的电子保护原理图如下：

图2过压保护原理图

二、整流晶闸管阻容吸收元件的选择

电容的选择:

C=(2.5-5)×10的负8次方×If

If=0.367Id

Id-直流电流值

如果整流侧采用500A的晶闸管

可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5μF

选用2.5μF，1kv 的电容器

电阻的选择：

R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56

选择10欧

PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负12次方×R)/2

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