可控硅（晶闸管）的注意事项

2021-02-21

电流量上升率、电压上升率的抑止保护

1.电流量上升率di/dt的抑止

晶闸管初导通时电流量聚集在接近门极的阴极表层较小的范围，部分电流密度过大，随后以0.1mm/μs的拓展速度将电流量拓展到整个阴极面，若晶闸管导通时电流量上升率di/dt过大，会造成 PN结击穿，需要限制晶闸管的电流量上升率使其在适宜的范畴内。其更有效方法是在晶闸管的阳极电路串联入电感。如下图:

图1：串联电感抑止电路

2.电压上升率dv/dt的抑止

加在晶闸管上的正向电压上升率dv/dt也应有一定的限制,一旦dv/dt过大，基于晶闸管结电容的存在而发生过大的位移电流，该电流能够本质上发挥触发电流的效果，使晶闸管正向阻断能力下跌，情况严重时引发晶闸管误导通。

为抑止dv/dt的功能，能够在晶闸管两端并联R-C阻容吸收电路。如下图：

图2：并联R-C阻容吸收电路

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