igbt功率模块的基本构造

2021-08-11

前边我们也简洁的讲过了igbt模块的基本构造，igbt模块是由双极型功率晶体管(高耐压、大容量)和MOSFET(高开关速度)组成，因此igbt模块具备了2种元器件的特性，高耐压、大电流、高开关速度。

上图是igbt模块芯片的横向截面图，图上的P+和N+表明集电区和源区为重掺杂，N-表明基区掺杂浓度较低。igbt模块和MOSFET一样，在门极上外加正方向电压就能导通，但因为通过在漏极上追加了P+层，使得在导通情况下，P+层向N基极注入空穴，进而引发了传导性能的转变，因此，igbt模块和MOSFET相比，可以取得极低的通态电阻，也就是igbt模块拥有较低的通态压降。

由图1(a)得知，单个igbt模块元胞内包括1个MOSFET，1个PNP 晶体管和1个NPN 晶体管。

PNP晶体管集电极(P基区)与NPN晶体管发射极(N+源区)中间的电压降用等效电阻Rs表达，当Rs非常小时，NPN晶体管的影响力就可以忽略(之后我们提到igbt模块擎住效应的时候，这一寄生的NPN晶体管便会有所涉及，自然，还包含等效电阻Rs)。通常情形下，igbt模块的等效线路模型如下图1(b)右图所显示。

以上就是传承电子对igbt功率模块的基本构造介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

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