igbt开通延迟过程

2021-08-12

igbt模块栅极电容的组成

Ciss=CGE+CGC輸入电容

Coss=CGC+CEC輸出电容

Crss=CGC米勒电容

下边是较为详细的电容分布：

关于igbt模块元器件，栅极电容包含4个层面电容，如圖所显示：

(1)栅极—发射极金属电容C1

(2)栅极—N+源极氧化层电容C2

(3)栅极—P基区电容Cgp，Cgp由C3，C5组成;

(4)栅极—集电极电容Cgc，Cgc由C4，C6组成。当中，栅极—发射极电容(也称作輸入电容)为Cge=C1+C2+Cgp，栅极—集电极电容(也称作反方向传输电容或密勒电容)为Cgc。除此之外，Cgp随栅极电压的变动而变动，Cgc随igbt模块集射极电压的变动而变动。电容Cgp的变化趋势如下图所显示。所以，Cgp随之电压的增加，其电容值先减小，随之电压的进一步增加，其大小又渐渐增加，并抵达稳定值。