可控硅是四层三端元器件，它有J1、J2、J33个PN结图1，能够把它之间的NP分为两部分，组成1个PNP型三极管和1个NPN型三极管的复合管图2

当可控硅承担正方向阳极电压时，为使可控硅导通，需要使承担反方向电压的PN结J2丢失阻挡功效。图2中每一个晶体管的集电极电流同时便是另1个晶体管的基极电流。所以，2个相互复合的晶体管线路，当有充足的门极电流Ig流进时，便会生成强烈的正反馈，导致两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。

设PNP管和NPN管的集电极电流对应为Ic1和Ic2；发射极电流对应为Ia和Ik；电流放大系数对应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设经过J2结的反相漏电电流为Ic0，

可控硅的阳极电流等同于两管的集电极电流和漏电流的总和：

Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0

若门极电流为Ig，则可控硅阴极电流为Ik=Ia+Ig

进而能够算出可控硅阳极电流为：I=（Ic0+Iga2）/（1-（a1+a2））（1—1）式

硅PNP管和硅NPN管对应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而大幅度变化如图所示3所显示。

当可控硅承担正方向阳极电压，而门极未受电压的状况下，式（1—1）中，Ig=0，（a1+a2）极小，故可控硅的阳极电流Ia≈Ic0可控硅处在正方向阻断情况。当可控硅在正方向阳极电压下，从门极G流进电流Ig，鉴于非常大的Ig流经NPN管的发射结，进而增强其电流放大系数a2，造成非常大的极电极电流Ic2流进PNP管的发射结，并增强了PNP管的电流放大系数a1，造成更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这种强烈的正反馈过程迅速进行。从图3，当a1和a2随发射极电流增加而（a1+a2）≈1时，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0，所以增强了可控硅的阳极电流Ia.这时，流进可控硅的电流完全由主回路的电压和回路电阻值确定。可控硅已处在正向导通情况。

式（1—1）中，在可控硅导通后，1-（a1+a2）≈0，即便 这时门极电流Ig=0，可控硅仍能保持原本的阳极电流Ia而继续导通。可控硅在导通后，门极已失去作用。

在可控硅导通后，倘若持续的减少电源电压或增加回路电阻值，使阳极电流Ia减少到保持电流IH之下时，鉴于a1和a1迅速降低，当1-（a1+a2）≈0时，可控硅恢复阻断情况。

可控硅智能模块可断开可控硅GTO（GateTurn-OffThyristor）亦称门控可控硅。其主要特点为，当门极加逆向触发信号时可控硅能自主断开。

以上就是传承电子对可控硅模块的运行过程的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。