可控硅的静态伏安性能

2021-08-17

第I象限的是正方向性能有阻断模式和导通模式之分。

在正方向阻断模式时，可控硅的伏安性能是1组随门极电流的提高而不同的曲线簇。当IG足够大时，可控硅的正方向转折电压很小，能够看作与一般二极管相同.

第III象限的是反方向性能可控硅的反方向性能与一般二极管的反方向性能相似。

IG=0时，元器件两边添加正方向电压，为正方向阻断模式，仅有很小的正方向漏电流流过，正方向电压超出临界极限即正方向转折电压Ubo，则漏电流急剧增加，元器件导通随之门极电流幅值的增加，正方向转折电压降低导通后的可控硅性能和二极管的正方向性能相仿可控硅本身的压降很小，在1V左右导通期间，倘若门极电流为零，且阳极电流降到接近于零的某一数值IH之下，则可控硅又重回正方向阻断模式。IH称作维持电流。

可控硅上添加反方向电压时，伏安性能类似于二极管的反方向性能可控硅的门极触发电流从门极流进可控硅，从阴极流出阴极是可控硅主线路与控制回路的公共端门极触发电流也通常是借助触发线路在门极和阴极间添加触发电压而形成的可控硅的门极和阴极间是PN结J3，其伏安性能称作门极伏安性能。为确保稳定、安全的触发，触发线路所给予的触发电压、电流和功率应控制在稳定触发区。

以上就是传承电子对可控硅的静态伏安性能的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

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