igbt导通波型

2021-08-18

igbt的导通波型以下：

分成5各阶段：

①导通延迟阶段

在这个阶段中，驱动线路给輸入电容充电，栅极电压逐渐提高，当栅极电压抵达阈值电压之后，igbt导通，集电极电流開始提高。必须指明的是，阶段1一样虚线圆圈内的栅极电压有个斜率增加的环节，相对于栅极电压在提升的环节中，栅极輸入电容变化的环节。

②电流提升阶段

在这个阶段中，MOSFET沟道导通，因为电流上涨速度特别快，短期内栅极电压类似线性增长。当集电极电流IC低于负载电流时，IC可以用开口向上的二次函数拟合，这时的集射极电压伴随着集电极电流的提升而线性降低。

③集射极电压快速降低过程

当igbt集电极电流IC高于峰值电流IL+IRR后，续流二极管承载反方向电压，电流快速降低，进而igbt的电流也快速降低。续流二极管在承载反方向电压后，igbt的集射极电压快速降低，耗尽区也快速消退。耗尽区减小的过程造成了栅极—集电极电容和所带电荷量的快速变动，如第二节所解析，栅极电压从而进到密勒平台阶段。从第2阶段到第3阶段，因为集射极电压的快速降低，栅极电压Vge有个电压跌落的过程。

④栅极平台阶段

这一阶段的特点之一是igbt电流的衰减过程，这由续流二极管的反方向恢复特性确定。其次，igbt集射极电压VCE持续降低，也是因为开通后igbt内电导调制区的扩张所造成。在这个过程中，接近栅极侧的中性基区电势Vds持续降低，栅极电压的值几乎保持不变。

⑤栅极电压持续上涨阶段

这一过程中，驱动回路持续给栅极电容充电，igbt集射极电压几乎达到稳定通态压降，igbt集电极电流等于负载电流。

以上是传承电子对igbt导通波型的介绍，并提供了相应的等效线路。依据上述解析，如启动延时等效电路图，在给栅极电容充电的时期，驱动电阻的值越小，时间常数越小，进而栅极电压升高越快，启动延迟的時间越小。由米勒平台时期等效电路图得知，驱动电阻越小，相同的栅极平台电压值，平台持续时间也越小。驱动电阻越小，平台电压随后，升高到最大栅极电压的時间也越小。

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