怎么解决可控硅SiCMOSFET的桥臂串扰?
2021-08-26
SiCmosfet三相全桥逆变线路中,同一个桥臂上下功率器件很容易受元器件寄生参数的影响而相互产生干扰,该状况称之为桥臂串扰。这类状况很容易导致桥臂直通或 烧毁功率器件。SiCMOSFET与SiIGBT对比,SiCMOSFET的栅极电压极限值和栅极阈值电压都相应较低,桥臂串扰情况愈发突出。在考虑SiCMOSFET寄生参数的影响下。
2)关断过程
以上就是传承电子对怎么解决可控硅SiCMOSFET的桥臂串扰的介绍,传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商,为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工,同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。
1)开通过程
上一篇:igbt驱动维护线路的多功能型
下一篇:IGBT功率模块的优劣检验办法
关注微信公众号,了解更多资讯