可控硅模块的静态特性运行特性

2021-09-03

（1）正方向特性

IG=0时，元器件两边增加正方向电压，仅有极小的正方向漏电流，为正方向阻断状态。

正方向电压超过正方向转折电压Ubo，则漏电流急剧增加，元器件开通。

由于门极电流幅值的增加，正方向转折电压降低。

可控硅本身的压降极小，在1V左右。

图3.可控硅的伏安特性

（2）反方向特性

反方向特性相似二极管的反方向特性。

反方向阻断状况时，仅有极小的反相漏电流经过。

当反方向电压达到反方向击穿电压后，将会造成可控硅起热毁坏。

以上就是传承电子对可控硅模块的静态特性运行特性的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

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