igbt检测方法

2021-09-03

igbt是经过栅极驱动电压来调节的开关晶体管，普遍用作变频器中当作直流逆变成交流的电力电子元器件。IGBT管的构造和原理与场效应晶体管（一般称之为MOSFET管）相同。IGBT管的符号如下图2所显示。G为栅极，C为集电极，E为发射极。

数字万用表检测IGBT管的方式如下所示：

（1）确定3个电极假定管子是好的，先确定栅极G。将数字万用表打到R×10kΩ挡，若检测到某一极与别的两极电阻值为无穷大，而对换表笔后测出该极与别的两极电阻值为无穷大，则可判定此极为栅极（G）。再检测剩下的两极。若测出电阻值为无穷大，而对换表笔后测出电阻值较小，这时红表笔（实为负极）接的为集电极（C），黑表笔（实为正极）接的为发射极（E）。

（2）判定管子的好坏将数字万用表打到R×10kΩ挡，用黑电笔接C极，红电笔接E极，这时数字万用表的指针在零位，用手指一起触碰一下G极和C极，数字万用表的指针摆向电阻值较小的方向（igbt被触发导通），并提示在某个位置再用手指一起触碰G极和E极，数字万用表的指针回零（igbt被阻断），就可以辨别igbt是好的。

倘若不符上述现象，则可辨别igbt是坏的。用此立法也可检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。

以上就是传承电子对igbt检测方法的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

上一篇：可控硅模块的静态特性运行特性

下一篇：可控硅的动态特性运行特性

关注微信公众号，了解更多资讯