可控硅的动态特性运行特性

2021-09-03

可控硅的动态特性运行特性

（1）开通过程

延迟时间td（0.5~1.5ms）

上升时间tr（0.5~3ms）

开通时间tgt上述二者之和，tgt=td+tr（1-6）

图4.可控硅的开通和断开过程波形

（2）断开过程

反方向阻断恢复时间trr

正方向阻断恢复时间tgr

断开时间tq上述二者之和tq=trr+tgr（1-7）

普通可控硅的断开时间约几百微秒

以上就是传承电子对可控硅的动态特性运行特性的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

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