可控硅的反方向特性伏安特性

2021-11-16

可控硅的伏安特性

可控硅阳极A与阴极K间的电压与可控硅阳极电流间关系称作可控硅伏安特性,如下图2所所显示。正方向特性处在第一象限,反方向特性处在第三象限。

图2可控硅伏安特性参数示意图

(1)反方向特性

当门极G开路,阳极添加反方向电压时(见图3),J2结正偏,但J1、J2结反偏。此时仅能经过非常小的反方向饱和电流,当电压进一步提升到J1结的雪崩击穿电压后,并且J3结也击穿,电流快速增多,如下图2的特性曲线OR段逐渐弯曲,弯曲处的电压URO称之为“反方向转折电压”。

之后,可控硅会出現永久性反方向击穿。

图3阳极加反方向电压

图4阳极加正方向电压

以上就是传承电子介绍的可控硅的反方向特性伏安特性，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

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