传承科技解析可控硅结构及原理解析

2021-02-21

可控硅有3个极----阳极（A）、阴极（C）和控制极（G），管芯是P型导体和N型导体交迭构成的四层框架，一共有3个PN结，与只有一个PN结的硅整流二极管结构迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引入，为其起到“以小控大”的优秀的控制特点奠定了基础。

可控硅使用时，只需在控制极加很小的电流或电压，就能控制极大的阳极电流或电压。当前已能生产出电流容量达几百安培甚至过千安培的晶闸管元器件。通常把5安培以内的晶闸管叫小功率晶闸管，50安培之上的晶闸管叫大功率晶闸管。

我们可以把从阴极往上数的第一、二、三层看面是1个NPN型号晶体管，而二、三、四层构成另一只PNP型晶体管。当中第二、三层为两管交迭共用。

可绘制图1的等效电路图。当在阳极和阴极中间加1个正向电压E，又在控制极G和阴极C中间（相当BG2的基一射间）导入1个正的触发讯号，BG2将形成基极电流Ib2，经放大，BG2将有个放大了β2倍的集电极电流IC2。

由于BG2集电极与BG1基极相接，IC2更是BG1的基极电流Ib1。BG1又把Ib1（Ib2）放大了β1的集电极电流IC1送还BG2的基极放大。

这般循环放大，直至BG1、BG2完全导通。其实上述过程是“一触即发”的，对晶闸管而言，触发讯号加到控制极，晶闸管即刻导通。导通的时间关键取决于晶闸管的性能。

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具体产品有：IGBT模块、晶闸管(可控硅)模块、超快恢复外延二极模块、单相整流桥模块、三相整流桥模块、整流二极管模块、肖特基二极管模块等功率半导体器件。

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