检测双向可控硅模块的优劣方法之二

2021-12-06

借助整流二极管，可以快速判别双向可控硅模块究竟沿哪一个方向击穿短路。检测线路见图1。

D1、D2是2只极性相反的硅整流二极管。假设在交流电的正半周，Ua＞Ub，则D1导通，D2截止，电流向下；当负半周Ua＜Ub时，D2导通，D1截止，电流的方向往上。

所以D1、D2上的电流的方向可代表双向可控硅模块可能被击穿的方向。

D1、D2的反向耐压值应足够高。图上被测双向可控硅模块为BCM3AM，整流管为1N4005，它们的反向击穿电压均为600V。

检测流程如下所示：

第1步：断开S1，将S2拨置c时，灯管应熄灭。若灯管发亮，但亮度明显偏低（100W灯管亮度仅相当于25W灯管），表明双向可控硅模块沿T2→T1的方向击穿短路。这时D1对220V交流电作半波整流，灯管上的电流平均值减小，亮度降低。

第2步：断开S1，将S2拨至d，灯管应熄灭。若灯管发亮，且亮度同上，表明元器件沿T1→T2的方向击穿短路。这时靠D2进行半波整流后使灯管发亮。

第3步：按以上操作时灯管均不亮，就可以盖下S1。灯管发亮，意味着双向可控硅模块可以被启动，品质优良。不然是门极开路，或是极T1→T2间开路。

对双向击穿的管子应彻底报废。若是单向击穿短路（或断路），只要是门极完整无损，仍可将这类双向可控硅模块做为1只单向晶闸管运用。

以上就是传承电子介绍的检测双向可控硅模块的优劣方法之二，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

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