igbt功率模块干扰静态均流的原因

2022-02-21

igbt模块是三端元器件，芯片内部构造包括有栅极、集电极和发射极，等效线路如下图2-1所显示，在igbt模块的栅极G和发射极E间加+15V标准电压，则igbt模块导通，倘若集电极有上拉电阻，集电极和发射极电压可能会变成0.2V，即集电极与发射极间因为门极加进正电压而成低阻模式促使igbt模块饱和导通;若在igbt模块的栅极G和发射极E间加进-15V则igbt模块反方向断开，加进负压而不是OV的目标是使igbt模块可快速而稳定的关断，对igbt模块实际运用有重要的含义。

随着igbt模块在电气行业的普遍使用，并接的方式使产品具备更高的功率密度、匀称的基板热分布、灵活的布局及较高的性价比等优点。但在，静态和动态均流问题的存在，限制了igbt模块通流能力的利用率，目前多选用降额选用。但是选用有源门板电压主动控制，就无需对igbt模块驱动安装进行降额处理和增加设施。

干扰静态均流的原因

1、并接igbt模块的直流母线侧连接点的电阻分量，所以要尽可能对称；

2、igbt模块芯片的Vce（sat）和二极管芯片的VF的差别，所以尽可能选择相同批次的产品。

3、IGBT模块所在的温度差别，设计机械构造及风道时要考量；

4、IGBT模块所在的磁场差别；

5、栅极电压Vge的差别。

以上就是传承电子对igbt功率模块干扰静态均流的原因的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

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