igbt模块并联均流影响因素

2022-02-23

影响动态均流的原因

1、IGBT模块的开通门槛电压VGEth的差别，VGEth越高，igbt模块开通时刻越晚，不同模块是会有差别；

2、每一个并接的IGBT模块的直流母线杂散电感L的差别；

3、门极电压Vge的差别；

4、门极回路中的杂散电感量的差别；

5、IGBT模块所在温度的差别；

6、IGBT模块所在的磁场的差别。

igbt模块芯片温度对均流的干扰

igbt模块芯片的温度对动态均流性能和静态均流性能干扰非常大：

1、因为igbt模块的Vcesat的正温度系数特点，使温度高的芯片的Vcesat更高，会分到较少的电流，所以建立了1个负反馈，使静态均流趋向收敛；

2、实验表明，芯片温度上升后，动态均流的性能也会变佳；例如在检测动态均流时，我们会选用双脉冲检测方法，但这时芯片是处在冷态的，当把机器跑起来后，动态均流会改善。

IGBT芯片所在的磁场对均流的干扰

IGBT模块周围如果有强磁场，则模块的均流会受到干扰。

1、倘若2个IGBT模块并接且并列组装，如果交流排的输出电缆在布置时接近当中某1个IGBT模块而远离另外1个，则均流性能便会出问题；

2、以上现象的原因是某些大电流在导线上移动的时候会形成磁场，对磁场内的其余导通的电流形成“排斥”或“吸引”的效果；

所以，在架构设计时，要留意交流排出线的走线方式，避免出现磁场的干涉现象。

以上就是传承电子对igbt模块并联均流影响因素的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

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