绝缘栅双极晶体管综合了电力晶体管和电力场效应晶体管的优势，具备优良的特性，应用领域很普遍；igbt模块也是三端元器件：栅极，集电极和发射极。

电力MOSFET元器件是单极型（N沟道MOSFET中仅电子导电、P沟道MOSFET中仅空穴导电）、电压控制型开关元器件；所以其通、断驱动控制功率不大，开关速度快；但通态降压大，难于做成高压大电流开关元器件。
电力三极晶体管是双极型（当中，电子、空穴2种多数载流子都参与导电）、电流控制型开关元器件；所以其通-断控制驱动功率大，开关速度不够快；但通态压降低，可做成较高电压和较大电流的开关元器件。

为了兼具这2种元器件的优势，弃其缺陷，20世纪80年代中期出现了将它们的通、断机制相结合的新一代半导体电力开关元器件——绝缘栅极双极型晶体管（insulatedgatebipolartransistor，igbt模块）。

它是1种复合元器件，其输入控制部分为MOSFET，输出级为双级结型三极晶体管；所以兼具MOSFET和电力晶体管的优势，即高输入阻抗，电压控制，驱动功率小，开关速度快，工作频率可达到10~40kHz（比电力三极管高），饱和压降低（比MOSFET小得多，与电力三极管相当），电压、电流容量较大，安全工作区域宽。目前2500~3000V、800~1800A的igbt模块元器件已有产品，可供几千kVA之下的高频电力电子设备选用。

图1为igbt模块的符号、内部结构等值线路及静态特性。igbt模块也有3个电极：栅极G、发射极E和集电极C。输入部分是一个MOSFET管，图1中Rdr表示MOSFET的等效调制电阻（即漏极-源极间的等效电阻RDS）。输出部分为1个PNP三极管T1，另外还有一个内部寄生的三极管T2（NPN管），在NPN晶体管T2的基极与发射极间有1个体区电阻Rbr。

当栅极G与发射极E间的另加电压UGE=0时，MOSFET管内无导电沟道，其调配电阻Rdr可视作无穷大，Ic=0，MOSFET处在断态。在栅极G与发射极E间的另加控制电压UGE，可以转变MOSFET管导电沟道的宽度，进而转变调配电阻Rdr，这就转变了输出晶体管T1（PNP管）的基极电流，控制了IGBT管的集电极电流Ic。

当UGE足够大时（例如15V），则T1饱和导电，igbt模块进入通态。一旦撤除UGE，即UGE=0，则MOSFET从通态转至断态，T1截止，igbt模块元器件从通态转至断态。

以上就是传承电子对igbt模块的基本原理的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。