igbt模块的静态特性
2022-03-18
(1)输出特性:是UGE一定时集电极电流Ic与集电极-发射极电压UCE的函数关系,即Ic=f(UCE)。
图1示出igbt模块的输出特性。UGE=0的曲线相应于igbt模块处在断态。在线性导电区I,UCE增加,Ic增加。在恒流饱和区Ⅱ,对于一定的UGE,UCE增加,IC不会再随UCE而增加。
在UCE为负值的反压下,其特性曲线类似三极管的反方向阻断特性。
为了使igbt模块安全运作,它承担的外加压、反方向电压应低于图1(c)中的正、反方向折转击穿电压。
(2)转移特性:是图1(d)所显示的集电极电流Ic与栅极电压UGE的函数关系,即Ic=f(UGE)。
当UGE低于开启阈值电压UGEth时,等效MOSFET中无法生成导电沟道;所以igbt模块处在断态。当UGE>UGEth后,伴随着UGE的增加,Ic明显上升。
实际运作中,另加电压UGE的最大值UGEM通常不超过15V,以限制Ic不超过IGBT管的允许值ICM。igbt模块在额定电流时的通态压降通常为1.5~3V。其通态压降常在其电流较大(接近额定值)时具备正的温度系数(Ic增加时,管压降大);所以在几个igbt模块并接使用时igbt模块元器件具备电流自动调节均流的能力,这就使多个igbt模块易于并接使用。
以上就是传承电子对igbt模块的静态特性的介绍,传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商,为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工,同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。
在UCE为负值的反压下,其特性曲线类似三极管的反方向阻断特性。
为了使igbt模块安全运作,它承担的外加压、反方向电压应低于图1(c)中的正、反方向折转击穿电压。
(2)转移特性:是图1(d)所显示的集电极电流Ic与栅极电压UGE的函数关系,即Ic=f(UGE)。
当UGE低于开启阈值电压UGEth时,等效MOSFET中无法生成导电沟道;所以igbt模块处在断态。当UGE>UGEth后,伴随着UGE的增加,Ic明显上升。
实际运作中,另加电压UGE的最大值UGEM通常不超过15V,以限制Ic不超过IGBT管的允许值ICM。igbt模块在额定电流时的通态压降通常为1.5~3V。其通态压降常在其电流较大(接近额定值)时具备正的温度系数(Ic增加时,管压降大);所以在几个igbt模块并接使用时igbt模块元器件具备电流自动调节均流的能力,这就使多个igbt模块易于并接使用。
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