igbt模块的动态特性

2022-03-22

图2示出了igbt模块的导通和断开环节。导通环节的特性类似MOSFET；由于在这个区间，igbt模块大部分时间用作MOSFET运行。导通时间由4个部分构成。导通延迟时间td是外施栅极脉冲从负到正跳变开始，到栅-射电压充电到UGEth的时间。

这之后集电极电流从0开始上升，到90%稳态值的时间为电流上升时间tri。在这2个时间内，集-射极间电压UCE基本不变。之后，UCE开始下降。

下降时间tfu1是MOSFET运行时漏-源电压下降时间tfu2是MOSFET和PNP晶体管同时运行时漏-源电压下降时间；因此，igbt模块导通时间为ton=td+tr+tfu1+tfu2。

导通环节中，在td、tr时间内，栅-射极间电容在外施正电压效果下充电，且按指数规律上升，在tfu1、tfu2这一时间段内MOSFET导通，流过对GTR的驱动电流，栅-射极电压基本维持igbt模块彻底导通后驱动环节结束。栅-射极电压再度按指数规律上升到外施栅极电压值。

igbt模块断开时，在外施栅极反方向电压效果下，MOSFET输入电容放电，内部PNP晶体管依然导通，在最初环节里，断开的延迟时间td和电压UCE的上升时间tr，由igbt模块中的MOSFET确定。

断开时igbt模块和MOSFET的关键差距是电流波型分成tfi1和tfi2两部分，当中，tfi1由MOSFET确定，对应于MOSFET的断开环节；tfi2由PNP晶体管中存储电荷所确定。

由于在tfi1末尾MOSFET已断开，igbt模块又无反方向电压，体内的存储电荷很难被快速消除；因此漏极电流有较长的下降时间。由于这时漏源电压已建立，过长的下降时间会产生很大的功耗，使结温增高；因此希望下降时间越短越好。

以上就是传承电子对igbt模块的动态特性的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

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